隨著密集線路PCB的高速發展，75um/75um，100um/100um線寬/線間的設計已是主流產品，如手機板、高檔游戲板等，在制作這些密集線路PCB過程中，線寬/線間控制極為重要。根據IPC標準，常規線寬/線間按±20%的公差控制，阻抗線路線寬/間按±10%的公差控制。細小的線寬/線間補償、干膜線寬損耗、蝕刻側蝕等，本文將對PCB制作干膜線寬損耗進行淺析，通過正交實驗法分析干膜線寬損耗的影響因素及控制參數。

實驗表明，干膜線寬損耗大小，對蝕刻過程中線寬/間的控制產生重要的影響，在現有的菲林線寬/間補償條件下，干膜線寬損耗越小，形成導線蝕刻側蝕線寬補償量就越大，出現蝕刻不凈或線幼問題的風險就越小。通過實驗，線寬損耗最小因素組合(平行曝光機/曝光能量7格/顯影點50%)。我司在生產密集線路75um/75um,87.5um/87.5um,100um/100um線寬/間設計的產品時，嚴格依據以上實驗結果執行，確保了線路板線寬/間制作高品質。