蝕刻是利用化學(xué)反應(yīng)方法將PCB顯影區(qū)域的露銅剝離形成所需電路圖形的過程。酸性CuCl2蝕刻液是一種常見的用于抗蝕劑為抗蝕干膜、抗蝕印料、液態(tài)感光印料、金鍍層的蝕刻藥水。

工藝參數(shù)對蝕刻速率的影響

1.1氯化銅濃度對蝕刻速率的影響
選取鹽酸濃度2.0mol/L，氯化鉀濃度14g/L，氯酸鈉20g/L，添加劑濃度為14g/L，操作溫度為50℃，改變氯化銅濃度。考察了不同氯化銅濃度對蝕刻速率的影響，影響結(jié)果如圖1所示。

圖1 氯化銅濃度對蝕刻速率的影響

從圖1中可知，當(dāng)氯化銅質(zhì)量濃度小于200g/L時(shí)，蝕刻速率隨濃度增加而急劇增大；當(dāng)氯化銅質(zhì)量濃度為200g/L時(shí)，蝕刻速率出現(xiàn)最大值，為14.42μm/min；隨著氯化銅質(zhì)量濃度的進(jìn)一步增加，刻蝕速率先有所降低。因此，最佳氯化銅質(zhì)量濃度為200g/L左右。

1.2Cu+濃度對蝕刻速率的影響
選取氯化銅濃度為200g/L，鹽酸濃度2.0mol/L，氯化鉀濃度14g/L，氯酸鈉20g/L，添加劑濃度為14g/L，操作溫度為50℃。考察了不同Cu+濃度對蝕刻速率的影響，影響結(jié)果如圖2所示。

圖2 Cu+濃度對蝕刻速率的影響