5G線路板廠了解到，9月5日，天風(fēng)國際分析師郭明錤發(fā)文稱，繼三星在8月份漲價后，美光也自9月開始調(diào)漲NAND Flash晶圓合約價約10%，將有助于改善美光下半年獲利。

郭明錤分析稱，DRAM方面，美光可望最快自4Q23/1Q24開始受益于三個趨勢，包括英特爾新平臺Meteor Lake加速DDR5滲透率增長、AI服務(wù)器強勁需求推升HBM出貨，以及品牌與處理器廠在設(shè)備上推廣LLM有利于DDR/LPDDR規(guī)格升級。

8月初，業(yè)內(nèi)傳出消息稱，三星已通知客戶，打算將512Gb NAND Flash晶圓的報價提高到1.60美元，比2023年初的1.40美元的價格上漲了約15%。

先前也有報道指出，NAND Flash模組廠8月也已暫停報價及接單，將配合原廠（三星）報價調(diào)高8~10%。此舉將有望拉動NAND Flash價格逐步回升到制造成本線。

PCB廠了解到，9月3日，TrendForce市調(diào)機構(gòu)報告指出，近期NAND Flash現(xiàn)貨市場顆粒報價受到晶圓合約價成功拉漲消息帶動，部分品項出現(xiàn)較積極詢價需求。

去年四季度起，鎧俠及美光率先啟動減產(chǎn)，三星則在今年第二季跟進，業(yè)內(nèi)預(yù)計減產(chǎn)效益到今年下半年才會發(fā)生。

近日已有業(yè)內(nèi)人士透露，三星已制定生產(chǎn)計劃，目標(biāo)年底NAND庫存正常化（6-8周水平）。今年年初，三星NAND庫存水位超過20周，最高一度飆升至28周，但最近已降至18周。

TrendForce 31日報告則顯示，三星最初的減產(chǎn)幅度為25%，第四季可能擴大到35%，代表目前市況供過于求壓力仍大。因此，目前一線NAND Flash原廠均積極減產(chǎn)控制供給，力求止跌，避免價格持續(xù)破底。

至于模組廠，由于NAND Flash晶圓漲價已帶來成本提升壓力，模組廠近期紛紛釋出調(diào)漲終端產(chǎn)品的意向，主要體現(xiàn)在SSD產(chǎn)品方面，Kingston、Phison等模組廠近期亦回歸官方價格來進行交易，不再開放客戶另議以低價成交。

另外，電路板廠了解到，據(jù)臺媒8月31日消息，近1個月來，NAND Flash現(xiàn)貨價格持續(xù)小幅調(diào)升，單月漲幅約達5%，逐漸靠攏合約價。

不過也有機構(gòu)提醒，由于相關(guān)采購訂單是基于供應(yīng)端報價調(diào)漲而涌現(xiàn)，是否有實際終端訂單支撐仍待觀察。