PCB廠北京大學沈波、許福軍團隊針對大失配異質外延導致氮化物寬禁帶半導體高缺陷密度的難題，創新發展了一種基于納米圖形化AlN/藍寶石模板的“可控離散和可控聚合”側向外延方法，使藍寶石襯底上AlN外延薄膜位錯腐蝕坑密度大幅降低了兩個量級，至~104cm-2，實現了接近襯底級晶體質量的AlN外延薄膜，并應用于相關器件研制。

該成果發表于《自然·材料》雜志（Nature Materials, 2023, 22: 853–859）。

中國科學院半導體研究所李明研究員-祝寧華院士團隊借助空-時變換結合波分復用技術，采用多模干涉機理，成功研制了一款超高集成度光學卷積處理芯片，創造了目前光計算芯片最高算力密度記錄，該芯片調控單元數量隨矩陣規模呈線性增長，有效緩解了光計算芯片規模擴展的難題，為解決光計算芯片大規模集成探索了一個新的方向。

該成果發表于《自然·通信》雜志（Nature Communications, 2023, 14: 3000）。