電路板小編了解到：如今，中國正在各個半導體領(lǐng)域切入自己的力量，破除國外壟斷，包括CPU微處理器、NAND閃存、OLED屏幕面板等等，DRAM內(nèi)存也是時候了。

中國芯片設計公司近日發(fā)布公告，宣布與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股(集團)有限公司(簡稱合肥產(chǎn)投)于10月26日簽署了《關(guān)于存儲器研發(fā)項目之合作協(xié)議》。

雙方約定，將在安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)合作開展300mm晶圓(12英寸)、19nm工藝存儲器的研發(fā)項目，包括DRAM內(nèi)存顆粒。

項目總預算約為180億元人民幣，雙方產(chǎn)投按照1:4的比例負責籌集。

合作目標是在2018年12月31日前研發(fā)成功，實現(xiàn)產(chǎn)品良率(測試電性良好的晶片占整個晶圓的比例)不低于10％。

不過芯片設計方強調(diào)，本項目研發(fā)階段設計產(chǎn)能較小，為2000-3000片晶圓每月，尚無法達到批量生產(chǎn)標準，而且中國大陸目前無DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)積累，再加上人才引進、知識產(chǎn)權(quán)和設備進口等因素影響，研發(fā)能否成功存在不確定性。

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